BD646, Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 60 V, 62.5 W, -8 A, 2700 hFE

Artikelnummer: ICCHIP010000024_1
Kategorie: Einzelne bipolare Schichttransistoren (BJT)
Hersteller: NXP Semiconductors / Philips

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Beschreibung

Transistor-Typ PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 2,5 V @ 50 mA, 5 A
Strom - Kollektorrest (Ic) (max.) 500 µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3 A, 3 V
Leistung - max. 2 W
Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ)

(Einz. bip. Schittrans.) Wandlerpolarität:	PNP
(Einz. bip. Schittrans.) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:	45 V
(Einz. bip. Schittrans.) Anzahl der Kontakte:	3
(Einz. bip. Schittrans.) Betriebstemperatur Max (°C):	150 °C
(Einz. bip. Schittrans.) Verlustleistung Pd:	62.5 W
(Einz. bip. Schittrans.) Bauform:	TO-220
(Einz. bip. Schittrans.) DC-Kollektorstrom Max:	-8 A
(Einz. bip. Schittrans.) DC-Stromverstärkung hFE:	2700 hFE
Artikelgewicht:	0,00 kg