BC546BZL1 Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE

Artikelnummer: ICCHIP010000243_1
Kategorie: Einzelne bipolare Schichttransistoren (BJT)
Hersteller: ON Semiconductor

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Beschreibung

Wandlerpolarität: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Übergangsfrequenz ft: 150MHz
Verlustleistung Pd: 625mW
DC-Kollektorstrom: 100mA
DC-Stromverstärkung hFE: 290hFE
Bauform: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Betriebstemperatur, max.: 150°C

(Einz. bip. Schittrans.) Verlustleistung Pd:	625 mW
(Einz. bip. Schittrans.) DC-Kollektorstrom Max:	100 mA
(Einz. bip. Schittrans.) DC-Stromverstärkung hFE:	290 hFE
(Einz. bip. Schittrans.) Bauform:	TO-92
(Einz. bip. Schittrans.) Anzahl der Kontakte:	3
(Einz. bip. Schittrans.) Betriebstemperatur Max (°C):	150 °C
(Einz. bip. Schittrans.) MSL Level:	1 - Unbegrenzt
(Einz. bip. Schittrans.) Wandlerpolarität:	NPN
(Einz. bip. Schittrans.) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:	65 V
(Einz. bip. Schittrans.) Übergangsfrequenz ft:	150 MHz
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Artikelgewicht:	0,00 kg